高分子薄膜電晶體 (Polymer Thin Film Transistor)

        高分子薄膜電晶體的結構與基本元件如上圖所示，當施加閘極(Gate)電壓時，載子會由源極(Source)注入並累積在半導體與絕緣層的界面，而施加汲極(Drain)電壓後，累積在界面的載子會由源極往汲極流動，形成高導電度的導電通道。本實驗室在電晶體領域中研究的重點包括：新材料的合成、電晶體元件物理與平面顯示器的整合製程。其中在高分子電晶體電性的探討上，我們提出高分子鏈擾動亦是影響電晶體元件特性的重要因素。而在平面顯示器的整合上也已經發展出獨立的主動式(Active-Matrix)驅動電路，其中結合了噴墨印刷的製程技術，希望對印刷式及軟性高分子平面顯示器的工業化作出貢獻。

研究報導